Samsung DDR6 operativ xotirasi DDR5 dan ikki baravar tez bo'ladi

Samsung kompaniyasi DDR6 xotira modullarini bozorga chiqarishga tayyorlanmoqda.  Manbalarga ko‘ra, Janubiy Koreya texnologik giganti DDR6 chiplarini ishlab chiqarish uchun o‘zgartirilgan yarim qo‘shimchalar jarayoni (mSAP) qadoqlash texnologiyasini joriy etishni rejalashtirmoqda.

 Samsung vitse-prezidenti Yangvang Kohning so'zlariga ko'ra, qadoqlash texnologiyasi xotira modullari bilan birga rivojlanishi kerak, chunki ular kuchliroq bo'ladi.  mSAP jarayonini DDR6 xotira chiplariga qo‘llash Samsungga yanada ilg‘or chiplarni yaratish imkonini beradi.  Uning aniqlik kiritishicha, Samsungning raqobatchilari allaqachon DDR5 xotirasi uchun mSAP jarayonidan foydalangan va Samsung DDR6 uchun ushbu qadoqlash texnologiyasidan foydalanish ustida ishlamoqda.

Eslatib o'tamiz, Janubiy Koreya texnologik giganti o'tgan haftada 24 Gb/s ishlov berish tezligi, ya'ni 24 GGts chastotali birinchi GDDR6 xotira chiplarini taqdim etdi.  Shu bilan birga, kompaniya DDR6 ustida ishlashda davom etmoqda (GDDR6 bilan adashtirmaslik kerak).  Mavjud ma'lumotlarga ko'ra, DDR6 ni ishlab chiqish 2024 yilgacha yakunlanishi mumkin.

 DDR6 DDR5 dan ikki baravar tezroq va xotira kanallari ikki barobar ko'p bo'lishi kutilmoqda.  DDR6 JEDEC modullarida taxminan 12 800 Mbit / s yoki haddan tashqari oshirilganda 17 000 Mbit / s uzatish tezligiga erisha oladi.

 O'tgan yil boshida Samsung dunyodagi birinchi 512 Gb DDR5-7200 xotirasini e'lon qildi, bu DDR4 yechimlariga qaraganda 40% tezroq ishlash imkonini beradi.